Feldkirchen, den 28. Oktober 2009 – Intel und Numonyx geben heute einen wichtigen Durchbruch bei der Erforschung von Phasenwechselspeichern (Phase Change Memory = PCM) bekannt. Die Forscher haben erstmals eine Technologie entwickelt, die es ermöglicht, mehrere Schichten von PCM-Arrays in einem einzigen Chip aufeinander zu stapeln. Dies bereitet den Weg für High-Speed-Speicher mit größerer Kapazität, geringerem Stromverbrauch und optimaler Platzersparnis für RAM- und Storage-Anwendungen.

 

Diese neue Phasenwechselspeicher-Technologie für nicht-flüchtigen Speicher kombiniert viele Vorteile der heutigen Speichertypen und bietet etwa die kurzen Zugriffszeiten von RAMs (Random Access Memory) und die Eigenschaften von permanentem Flash-Speicher.

 

Phasenwechsel-Speicher (PCM) basiert auf dem durch das Anlegen einer Spannung gesteuerten schnellen Wechsel (Phase Change) zwischen einem kristallinen und amorphen Zustand. In der geordneten kristallinen Phase (unter dem Schmelzpunkt) ist der Widerstand niedrig, in der ungeordneten amorphen Phase (über dem Schmelzpunkt) hoch. Der Phase Change-Speicher ist nicht-flüchtig, weil für die Erhaltung der beiden Zustände keine Stromzufuhr notwendig ist. Da sich PCMs neu beschreiben lassen, ohne wie bei herkömmlichen Flash-Technologien die bisherigen Daten blockweise löschen zu müssen, sind sie um ein Vielfaches schneller als Flash-Chips.

 

Höhere Speicherdichte durch Stapeltechnik
Die Erfolge sind das Ergebnis eines laufenden gemeinsamen Forschungsprogramms zwischen Numonyx und Intel, das sich auf die Erforschung von vielschichtigen, gestapelten PCM-Zellenfeldern konzentriert. Damit sind die Intel- und Numonyx-Forscher nun in der Lage, eine vertikal integrierte Speicherzelle zu produzieren, PCM(S) genannt. PCM(S) besteht aus einem PCM-Element, das mit einem neuen Schwellenwertschalter (Ovonic Threshold Switch = OTS) zu einem echten so genannten Cross Point Array zusammengefügt wird. Die Fähigkeit, PCM(S)-Arrays zu stapeln, bietet die Skalierbarkeit zu höheren Speicherdichten, während gleichzeitig die Leistungsmerkmale der PCM-Technologie erhalten bleiben. Diese Herausforderung ist mit den traditionellen Speichertechnologien nur schwer zu meistern.

 

Al Fazio, Intel Fellow und Director Memory Technology Development, betont: „Dieser Meilenstein in der Forschung ermutigt uns, weiterhin innovative Speichertechnologien zu entwickeln. Wir sehen künftige Speichertechnologien wie PCM(S) als absolut entscheidend für die wachsende Bedeutung des Speichers im Bezug auf den steigenden Rechenaufwand und den Ausbau der Leistung und Skalierbarkeit von Speicherbausteinen.“

 

„Die Ergebnisse sind sehr viel versprechend", sagte Greg Atwood, Senior Technology Fellow bei Numonyx. „Sie zeigen das Potenzial für höhere Dichten, skalierbare Arrays und NAND-Flash-ähnliche Nutzungsmodelle für PCM-Produkte in der Zukunft. Dies ist wichtig, da herkömmliche Flashspeicher-Technologien an physikalische Grenzen stoßen und Probleme mit der Zuverlässigkeit aufweisen, während die Nachfrage für Speicher von Mobiltelefonen bis hin zu Rechenzentren weiter steigt.“

 

Skalierung möglich
Speicherzellen werden durch Stapelung von einem Speicherelement mit einem elektrischen Schalter gebaut, mehrere Zellen zusammen bilden Speicher-Arrays. Bisherige Arrays mit PCM als Speicherbaustein wurden offen gelegt, nutzten aber verschiedene Schalter bzw. wurden mit mehreren Leitungen beschaltet. Dies schränkte die Größe und Leistung des Arrays stark ein. Jetzt gelang es Intel- und Numonyx-Forschern, einen Dünnfilm- und zweipoligen OTS (Ovonic Threshold Switch) als Schalter zu entwickeln, der die physikalischen und elektrischen Eigenschaften für die PCM-Skalierung mitbringt. Durch die Kompatibilität von Dünnfilm-PCM(S) sind jetzt mehrere Schichten von Cross Point Arrays möglich. Bei einem Cross Point Array werden alle Speicherbausteine mit nur einer Leitung beschaltet.

 

Sobald sie miteinander verbunden und in ein echtes Cross Point Array eingebettet sind, werden die gestapelten Arrays mit CMOS-Schaltkreisen kombiniert, um Decodier-, Lese- und Logik-Funktionen auszuführen. Wichtige Merkmale der Technologie sind eine Reset-Geschwindigkeit von neun Nanosekunden, eine hohe durchschnittliche Lebensdauer von einer Million Schreibzyklen sowie eine notwendige Spannung von nur einem Volt, um zwischen dem amorphen Phasenzustand (Reset mit hohem Widerstand) und dem kristallinen Zustand (Set mit niedrigem Widerstand) zu wechseln.

 

Weitere Informationen zu der Speicherzelle, zum Cross Point Array, dem Experiment und den Ergebnissen werden in einem von Intel- und Numonyx-Technologen gemeinsam verfassten Whitepaper mit dem Titel „A Stackable Cross Point Phase Change Memory“ veröffentlicht. DerChang Kau, Intel Senior Principal Engineer, wird das Whitepaper auf dem 2009 International Electron Devices Meeting in Baltimore, Maryland am 9. Dezember präsentieren.

 

Intel (NASDAQ: INTC), das weltweit führende Unternehmen im Bereich Halbleiterinnovation, entwickelt Technologien, Produkte und Initiativen, um Leben und Arbeit der Menschen laufend zu verbessern. Weitere Informationen über Intel finden Sie unter www.intel.de/pressroom und http://blogs.intel.com.

 

Numonyx bietet die gesamte Palette von voll integrierten NOR-, NAND-, RAM- und Phase-Change-Technologien und -Produkten für nichtflüchtigen Speicher. Damit trifft das Unternehmen die zunehmend anspruchsvolleren Bedürfnisse von Kunden im Mobilfunk-, Daten-und Embedded-Markt. Numonyx hat sich der Lieferung von Speichertechnologien und Packaging-Lösungen mit hoher Speicherdichte und geringem Stromverbrauch an Kunden weltweit verschrieben. Weitere Informationen über Numonyx finden Sie unter www.numonyx.com.

  • Umsatz im dritten Quartal von 9,4 Milliarden Dollar. Das beste Quartalswachstum in über 30 Jahren vom zweiten auf das dritte Quartal
  • Bruttogewinnmarge 58% , im Vergleich zum Vorquartal um 7 Punkte gestiegen
  • Operatives Ergebnis von 2,6 Milliarden Dollar
  • Nettogewinn von 1,9 Milliarden Dollar
  • Gewinn pro Aktie 0,33 Dollar

 

Feldkirchen / Santa Clara, den 13. Oktober 2009 – Die Intel Corporation erzielte im dritten Quartal 2009 einen Umsatz von 9,4 Milliarden Dollar, ein operatives Ergebnis von 2,6 Milliarden Dollar, einen Nettogewinn von 1,9 Milliarden Dollar und einen Gewinn pro Aktie von 0,33 Dollar.

 

“Das sehr starke Ergebnis von Intel im dritten Quartal unterstreicht, dass Computer ein wesentlicher Bestandteil des täglichen Lebens geworden sind und es beweist, dass technologische Innovationen für wirtschaftliche Erholung unverzichtbar sind. Die Stärke von Intel im derzeitigen wirtschaftlichen Umfeld sowie unsere Produktführerschaft stimmen uns für zukünftige Geschäfte zuversichtlich“, sagte Intel Präsident und CEO Paul Otellini. „Unsere neue 32nm Fertigungstechnik läutet eine neue Ära ein und wird eine weitere Innovationswelle beginnend bei den leistungsstarken Intel® Xeon® und Intel® Core™ Prozessoren für Server, Desktop und Notebooks bis hin zu Intel® Atom™ Prozessoren mit niedrigem Strombedarf nach sich ziehen.“

 

Nicht auf GAAP basierender Vergleich

Q3 2009vs. Q2 2009
Umsatz9,4 Mrd.Erhöht um 1,4 Mrd.
Operatives Ergebnis(Verlust)2,6 Mrd.Erhöht um 1,1 Mrd.
Nettogewinn/(Verlust)1,9 Mrd.Erhöht um 807 Mio.
Gewinn/(Verluste) pro Aktie0,33 DollarErhöht um 0,15 Dollar
Ergebnisse Q3 2009 basieren auf GAAP. Ergebnisse aus Q2 2008 basieren nicht auf GAAP und sind ohne Geldbuße der EC.

 

Auf GAAP basierender Vergleich

Q3 2009vs. Q2 2009vs. Q3 2008
Umsatz9,4 Mrd.Erhöht um 1,4 Mrd.Verringert um 828 Millionen
Operatives Ergebnis(Verlust)2,6 Mrd.Erhöht um 2,6 Mrd.Verringert um 519 Millionen
Nettogewinn/(Verlust)1,9 Mrd.Erhöht um 2,3 Mrd.Verringert um 158 Mio.
Gewinn/(Verluste) pro Aktie0,33 DollarErhöht um 0,40 DollarVerringert um 0,02 Dollar
Die ausführlichen Zahlen mit Nachkommastellen finden Sie unter:
http://www.intc.com/releasedetail.cfm?ReleaseID=415490

 

Finanzrückblick und Produkttrends
  • Rekordauslieferungen von Mobilprozessoren und Chipsätzen.
  • Die Umsätze in der Mobility Group stiegen um 19 Prozent, in der Digital Enterprise Group um 14 Prozent, die Umsätze aus dem Verkauf von Intel® Atom™ Prozessoren und Chipsätzen stiegen um 15 Prozent auf 415 Millionen Dollar, im Vergleich zum Vorquartal.
  • Die Bruttogewinnmarge lag mit 57,6 Prozent über den Erwartungen.
  • Der Durchschnittsverkaufspreis (ASP) von Mikroprozessoren war geringfügig niedriger im Vergleich zum Vorquartal.
  • Der Lagerbestand wurde im dritten Quartal um 315 Millionen Dollar reduziert im Vergleich zum Vorquartal.
  • Ausgaben (F&E inklusive Marketing und Verwaltung) lagen bei 2,75 Milliarden Dollar, wie erwartet.
  • Umstrukturierungskosten und Anlagenabschreibung lagen bei 63 Millionen Dollar und waren somit höher als erwartet.
  • Der Nettoverlust aus Kapitalbeteiligungen, Zinsen und anderer Posten betrug 47 Millionen Dollar und war somit besser als erwartet.
  • Die Steuerquote betrug 27 Prozent, höher als die Erwartung von 23 Prozent.

 

Prognosen zur Geschäftsentwicklung
Die folgenden Prognosen berücksichtigen keine Einflüsse aus potenziellen Zusammenschlüssen, Akquisitionen, Ausgliederungen oder anderen das Unternehmen betreffenden Maßnahmen, die nach dem 12. Oktober abgeschlossen wurden.

 

Prognose für das 4. Quartal 2009
  • Umsatz: 10,1 Mrd.; plus oder minus 400 Millionen Dollar.
  • Bruttogewinnmarge: 62 Prozent plus oder minus drei Prozentpunkte.
  • Ausgaben (F&E inklusive Marketing und Verwaltung): Ca. 2,9 Milliarden Dollar.
  • Umstrukturierungskosten und Anlagenabschreibung: ca. 40 Millionen Dollar.
  • Abschreibung auf erworbene immaterielle Werte und andere Kosten: ca. 20 Millionen Dollar.
  • Auswirkungen aus Kapitalbeteiligungen sowie Zinsen und andere Posten liegen bei annähernd Null.
  • Steuerquote: ca. 26 Prozent.
  • Abschreibung: ca. 1,2 Milliarden Dollar.
  • Investitionen in Anlagen für das gesamte Jahr 2009: erwartet 4,5 Milliarden Dollar plus oder minus 100 Millionen, niedriger als die bisherige Erwartung von 4,7 Milliarden Dollar plus oder minus 200 Millionen Dollar.

 

Geschäftsprognosen, „Quiet Period” und Zwischenberichte
Die Geschäftsleitung wird die Prognosen während des Quartals in nichtöffentlichen Sitzungen mit Investoren, Investmentanalysten, Medien und anderen Akteuren fortschreiben. Zwischen dem Geschäftsschluss am 25. November und dem vierten Quartalsbericht liegt die „Quiet Period“, während der bis dato veröffentlichte und bei der SEC eingereichte Berichtsdaten nicht zur Fortschreibung der Geschäftsprognosen verwendet werden dürfen.

 

Webcast
Am 13. Oktober um 23 Uhr 30 MEZ (14 Uhr 30 PST) strahlt Intel die Bekanntgabe der Ergebnisse live auf seiner Investor-Relations-Website unter www.intc.com aus. Ein Mitschnitt der Veranstaltung und eine MP3 Datei stehen zum Download zur Verfügung.

 

Intel (NASDAQ: INTC), das weltweit führende Unternehmen im Bereich Halbleiterinnovation, entwickelt Technologien, Produkte und Initiativen, um Leben und Arbeit der Menschen laufend zu verbessern. Weitere Informationen über Intel finden Sie unter www.intel.de/pressroom und blogs.intel.com.

 

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* Intel, das Intel Logo, Intel Xeon, Intel Core und Intel Atom sind Marken der Intel Corporation in den USA oder anderen Ländern. Andere Marken oder Produktnamen sind Eigentum der jeweiligen Inhaber.

 

Risk Factors
The above statements and any others in this document that refer to plans and expectations for the fourth quarter, the year and the future are forward-looking statements that involve a number of risks and uncertainties. Many factors could affect Intel’s actual results, and variances from Intel’s current expectations regarding such factors could cause actual results to differ materially from those expressed in these forward-looking statements. Intel presently considers the following to be the important factors that could cause actual results to differ materially from the corporation’s expectations.
  • Demand could be different from Intel's expectations due to factors including changes in business and economic conditions; customer acceptance of Intel’s and competitors’ products; changes in customer order patterns including order cancellations; and changes in the level of inventory at customers.
  • Intel operates in intensely competitive industries that are characterized by a high percentage of costs that are fixed or difficult to reduce in the short term and product demand that is highly variable and difficult to forecast. Additionally, Intel is in the process of transitioning to its next generation of products on 32nm process technology, and there could be execution issues associated with these changes, including product defects and errata along with lower than anticipated manufacturing yields. Revenue and the gross margin percentage are affected by the timing of new Intel product introductions and the demand for and market acceptance of Intel's products; actions taken by Intel's competitors, including product offerings and introductions, marketing programs and pricing pressures and Intel’s response to such actions; and Intel’s ability to respond quickly to technological developments and to incorporate new features into its products.
  • The gross margin percentage could vary significantly from expectations based on changes in revenue levels; capacity utilization; start-up costs, including costs associated with the new 32nm process technology; variations in inventory valuation, including variations related to the timing of qualifying products for sale; excess or obsolete inventory; product mix and pricing; manufacturing yields; changes in unit costs; impairments of long-lived assets, including manufacturing, assembly/test and intangible assets; and the timing and execution of the manufacturing ramp and associated costs.
  • Expenses, particularly certain marketing and compensation expenses, as well as restructuring and asset impairment charges, vary depending on the level of demand for Intel's products and the level of revenue and profits.
  • The tax rate expectation is based on current tax law and current expected income. The tax rate may be affected by the jurisdictions in which profits are determined to be earned and taxed; changes in the estimates of credits, benefits and deductions; the resolution of issues arising from tax audits with various tax authorities, including payment of interest and penalties; and the ability to realize deferred tax assets.
  • Gains or losses from equity securities and interest and other could vary from expectations depending on gains or losses realized on the sale or exchange of securities; gains or losses from equity method investments; impairment charges related to debt securities as well as equity and other investments; interest rates; cash balances; and changes in fair value of derivative instruments.
  • The majority of our non-marketable equity investment portfolio balance is concentrated in companies in the flash memory market segment, and declines in this market segment or changes in management’s plans with respect to our investments in this market segment could result in significant impairment charges, impacting restructuring charges as well as gains/losses on equity investments and interest and other.
  • Intel's results could be impacted by adverse economic, social, political and physical/infrastructure conditions in countries where Intel, its customers or its suppliers operate, including military conflict and other security risks, natural disasters, infrastructure disruptions, health concerns and fluctuations in currency exchange rates.
  • Intel's results could be affected by adverse effects associated with product defects and errata (deviations from published specifications), and by litigation or regulatory matters involving intellectual property, stockholder, consumer, antitrust and other issues, such as the litigation and regulatory matters described in Intel's SEC reports.


A detailed discussion of these and other factors that could affect Intel’s results is included in Intel’s SEC filings, including the report on Form 10-Q for the fiscal quarter ended June 27, 2009.

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