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10-08-25nm_TLC_Die.jpgIntel und Micron haben heute die ersten NAND-Flashspeicher mit 3 Bits pro Zelle, die im 25 Nanometer (nm) Herstellungsprozess gefertigt werden und derzeit die größte Speicherkapazität auf kleinstem Raum bieten, an ausgewählte Kunden ausgeliefert. Das dabei verwendete Triple-Level-Cell (TLC) Verfahren steigert die Speicherkapazität von Consumer-Geräten und verringert die Größe der dafür benötigten Chips entscheidend. Gleichzeitig werden die Kosten maßgeblich reduziert.

 

Flashspeicher werden vor allem in Speichermodulen von Kameras, MP3 Playern und Camcordern eingesetzt und zur Datenübertragung zwischen Computer und digitalen Geräten verwendet. Dank des neuen 25nm Fertigungsprozesses passen 64 GBit bzw. 8 GByte Speicher auf einen einzigen NAND Baustein. Dabei werden im Gegensatz zur vorherigen Multi-Level-Cell (MLC) Bauweise 3 Bits pro Zelle (TLC) gespeichert, was die Größe der Chips im Vergleich zu aktuellen 8 GB Flashspeichern von Intel und Micron um 20% verringert. Die Größe des Dies beträgt 131mm2.

 

IM Flash Technologies (IMFT), ein auf NAND-Flash spezialisiertes Joint Venture von Intel und Micron, fertigt die neuen NAND-Chips. Die Serienproduktion der winzigen Speicher wird zum Ende des Jahres erwartet.

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