Los empleados de Intel celebran el 40º aniversario de la compañía ofreciendo un millón de horas de voluntariado y recaudando 8 millones de dólares, como resultado del nuevo programa de voluntariado basado en las habilidades específicas de cada persona


Madrid, 18 de diciembre de 2008 – Escolares, familias necesitadas, personas de la tercera edad e incluso animales, como las tortugas, se han beneficiado del 40º aniversario de Intel Corporation, un hito que se ha celebrado con un millón de horas de voluntariado obtenidas a lo largo de 2008. El deseo de los empleados de realizar labores de voluntariado en sus lugares de residencia y trabajo ha impulsado el desarrollo un nuevo programa de voluntariado puesto en marcha por la compañía, una iniciativa que empareja a los empleados con habilidades específicas según las necesidades comunitarias concretas. Como reconocimiento al Día Internacional del Voluntariado, el pasado viernes 5 de diciembre, Paul Otellini, consejero delegado y presidente de Intel, agradeció a los empleados su participación en estas iniciativas de voluntariado.

 

Los empleados de Intel han ofrecido su tiempo en más de 40 países a lo largo de 2008, lo que supone un incremento superior al 50% respecto a 2007. Además, más de 47.000 empleados de Intel realizaron voluntariado en 2008, un aumento del 16% desde 2007, ofreciendo su ayuda a cerca de 5.500 escuelas locales, grupos de apoyo comunitario y otras organizaciones sin ánimo de lucro. “El voluntariado forma parte de los valores de Intel,” ha afirmado Christian Morales, vicepresidente de Intel y director general de la compañía en Europa, Oriente Medio y África. “La inseguridad del panorama económico incrementa la importancia del voluntariado, aumentando aún más el compromiso de Intel con estas tareas. El impacto de un millón de horas de voluntariado en todo el mundo, junto a la aportación de, aproximadamente, 8 millones de dólares por parte de Intel Foundation a organizaciones sin ánimo de lucro y colegios, ofrece una gran ayuda a las comunidades en donde viven y trabajan nuestros empleados”.

 

Empleados de un total de 20 países en Europa, Oriente Medio y África han realizado tareas de voluntariado para ayudar a sus comunidades, convencidos de la continuidad de esta experiencia durante el año que viene para mejorar la educación, el medio ambiente y la sanidad.

En España los empleados de Intel decidieron colaborar con la fundación local Bip Bip para ofrecer ayuda a grupos desfavorecidos creando aulas de tecnología en los colegios de su comunidad. Cerca de 500 PCs donados por grandes empresas españolas, fueron revisados y actualizados por voluntarios en diferentes convocatorias que permitieron enviar equipos operativos tanto a ONGs españolas como de América Latina.

 

Entre los ejemplos de las iniciativas más importantes de voluntariado fuera de nuestras fronteras, destaca un programa en Israel para potenciar el conocimiento de matemáticas y ciencias, en el que los estudiantes de secundaria acuden después del colegio a los centros de Intel para seguir aprendiendo. Asimismo, entre otras iniciativas, en Brasil, los directores de venta de Intel invitaron a jóvenes de comunidades desfavorecidas a los centros de la compañía para realizar prácticas y ofrecerles orientación.

 

Pero los beneficiarios del aumento de voluntariado en Intel no se limitan a las personas. Los voluntarios de Intel adoptaron tortugas en Malasia y, una de ellas bautizada como Intel, fue equipada con un transmisor vía satélite para ayudar a los expertos a diagnosticar la disminución de la población de tortugas.

 

Este tipo de voluntariado basado en habilidades ha sido tan bien recibido en las comunidades de Intel en todo el mundo que la compañía tiene planes para continuar el impulso del 40º aniversario centrándose más en este terreno. De hecho, los empleados con disciplinas especializadas se van a emparejar con las necesidades comunitarias correspondientes. Sus esfuerzos obtendrán fondos para la organización, ofreciendo al mismo tiempo unos servicios profesionales valiosos en finanzas, recursos humanos, planificación estratégica, ingeniería, y TI en otros campos.

 

Para más ejemplos del voluntariado de Intel, visite www.intel.com/community.

 

Acerca de Intel
Intel [NASDAQ: INTC], el líder mundial en innovación de silicio, desarrolla tecnologías, productos e iniciativas para mejorar continuamente la forma de trabajo y de vida de las personas. Para más información, visite www.intel.es/pressroom y http://blogs.intel.com.


Intel y el logotipo de Intel son marcas registradas por Intel Corporation o sus subsidiarias en los Estados Unidos y en otros países


*Otros nombres y marcas pueden ser propiedad de otras compañías.

Madrid, 10 de diciembre de 2008 – Intel Corporation ha concluido la fase de desarrollo de su proceso de fabricación de la siguiente generación que va a reducir aún más el tamaño de los circuitos del procesador hasta los 32 nanómetros (siendo un namómetro la mil millonésima parte del metro). La compañía se está preparando para iniciar la fase de producción de esta futura generación en el cuarto trimestre de 2009, utilizando para ello transistores de mayor densidad, rendimiento y eficiencia energética.

 

Intel va a ofrecer una gran cantidad de información técnica sobre la tecnología de fabricación de 32 nm (entre otros asuntos) durante las presentaciones que va a realizar en la Reunión Internacional sobre Dispositivos de Electrones (International Electron Devices Meeting, IEDM) la semana que viene en San Francisco. La finalización de la fase de desarrollo de la tecnología de fabricación de 32 nm y la preparación para la producción permiten a la compañía seguir el ritmo de sus planes ambiciosos de fabricación y comercialización de productos, conocidos como la estrategia “tick-tock” de Intel.

 

Este plan gira en torno a la presentación de una microarquitectura de procesador totalmente nueva, que se alterna con un proceso de fabricación innovador aproximadamente cada doce meses, poniendo de manifiesto un esfuerzo sin igual en el sector. La producción de procesadores de 32 nm el año que viene permitiría a Intel lograr este objetivo por cuarto año consecutivo.

 

El documento y la presentación sobre la tecnología de Intel para fabricación de 32 nm describen una tecnología lógica que incorpora la segunda generación de puerta de metal high-k, litografía de inmersión de 193 nm para el diseño de capas de patrones esenciales y la mejora de las técnicas para distribución de transistores. Estas prestaciones mejoran el rendimiento y la eficiencia energética de los procesadores de Intel. El proceso de fabricación de Intel ofrece el máximo rendimiento y la mayor densidad de los transistores en cualquier tecnología de 32 nm implementada en el sector.

 

“Nuestra destreza en la fabricación y los productos resultantes nos han servido de ayuda para ampliar nuestro liderazgo en rendimiento informático y en duración de baterías para ordenadores portátiles, servidores y equipos de sobremesa basados en tecnología de Intel”, ha afirmado Mark Bohr, Senior Fellow de Intel y director de arquitectura e integración de procesos. “Tal y como hemos mostrado este año, la estrategia de fabricación y la ejecución de los planes nos han ofrecido la posibilidad de crear unas líneas de productos totalmente nuevas para dispositivos móviles para Internet (MIDs), equipos de electrónica de consumo, ordenadores embebidos y netbooks”.

 

Otros documentos que va a ofrecer Intel en el IEDM van a describir una versión de sistema sobre chip de bajo consumo del proceso de 45 nm de Intel; transistores basados en semiconductores compuestos; ingeniería de substratos para mejorar el rendimiento de los transistores de 45nm; la integración del proceso de pulido mecánico y químico para el nodo de 45 nm y superior e integración de un conjunto de moduladores de fotónica de silicio. Intel participará también en unas jornadas sobre Tecnología de CMOS de 22 nm.

 

Acerca de Intel
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Los productos de 45nm se fabrican con una técnica que no utiliza plomo. La cantidad de plomo se sitúa por debajo de los 1000 PPM de la directiva EU RoHS directiva (2002/95/EC, Anexo A). Se pueden aplicar algunas exenciones a la E.U. RoHS sobre plomo a otros componentes utilizados en el encapsulado del producto.


Intel y el logotipo de Intel son marcas registradas por Intel Corporation o sus subsidiarias en los Estados Unidos y en otros países

Madrid, 9 de diciembre de 2008 – Los investigadores de Intel Labs han logrado dar un paso más en el desarrollo de la fotónica de silicio, consiguiendo un rendimiento récord a escala mundial gracias al Fotodetector de Avalancha (Avalanche Photodetector, APD). Este dispositivo, basado en silicio, es capaz de reducir los costes y mejorar el rendimiento en relación a otros dispositivos ópticos disponibles en estos momentos. Todos los resultados obtenidos de esta investigación han sido publicados en la revista Nature Photonics.

 

La Fotónica de Silicio es una nueva tecnología que utiliza silicio estándar para enviar y recibir información óptica entre ordenadores y otros dispositivos electrónicos. Así, tiene como objetivo ocuparse de las necesidades futuras de ancho de banda en aplicaciones informáticas que utilizan una gran cantidad de datos como, por ejemplo, la medicina a distancia y los mundos virtuales de gran realismo en 3D.

 

La transferencia de datos ultra rápida va a ser esencial en los ordenadores de procesadores con múltiples núcleos y la tecnología basada en fotónica de silicio puede ofrecer unos equipos estándar más veloces y asequibles. Un avance posible gracias al papel y las innovaciones de Intel Labs, incluyendo los moduladores rápidos de silicio y el láser híbrido de silicio. Además, la combinación de estas tecnologías ha permitido crear unos nuevos equipos digitales capaces de obtener un rendimiento que supera con creces los resultados actuales.

 

El equipo liderado por investigadores de Intel Labs ha creado el APD basado en silicio, un sensor de luz que logra una sensibilidad mayor detectando la luz y amplificando las señales débiles cuando el haz luminoso se dirige al silicio. Este dispositivo APD utiliza el silicio y el procesamiento del CMPS para conseguir un “producto de mayor ancho de banda”, concretamente de 340 GHz, el mejor resultado obtenido hasta la fecha en pruebas clave para evaluar el rendimiento del APD. De esta forma, se ha logrado abrir el camino para reducir el coste de los enlaces ópticos que funcionan a una velocidad de transmisión de datos de 40 Gbps como mínimo, demostrando por primera vez que un dispositivo de fotónica de silicio puede superar el rendimiento de un dispositivo fabricado con materiales ópticos más caros y tradicionales como, por ejemplo, el fosfuro de indio.

 

“Los resultados de esta investigación muestran otro ejemplo del uso del silicio para crear dispositivos ópticos de muy alto rendimiento,” ha indicado Mario Paniccia, Intel Fellow y director del Laboratorio de Tecnología Fotónica de la compañía. “Además de las comunicaciones ópticas, estos APDs basados en silicio se pueden también utilizar en otras áreas como, por ejemplo, los sensores, la captura de imágenes, la criptografía cuántica o las aplicaciones para Ciencias Biológicas”.

 

Además, el equipo de Intel Labs ha trabajado con colaboradores del sector y de las universidades y el estudio ha recibido financiación conjunta de la Agencia de Proyectos de Investigación Avanzados para Defensa (Defense Advanced Research Projects Agency, DARPA). Asimismo, Numonyx, fabricante líder de NOR, NAND, RAM y de tecnologías de memoria no volátil y cambio de fase, ha ofrecido su experiencia en procesamiento y fabricación. “Este hito representa un buen ejemplo de las relaciones efectivas existentes entre Intel y Numonyx”, ha afirmado Yonathan Wand, vicepresidente de fabricación en Numonyx y director de planta en Fab1. “Nos comprometemos a mejorar esta relación, potenciando más innovaciones en Fotónica de Silicio”.

 

Por otra parte, Joe Campbell, catedrático de la Universidad de Virginia y John Bowers, catedrático de la Universidad de California en Santa Barbara, ambos expertos en APD, ofrecieron asesoría y ayuda en las pruebas realizadas. “Este APD utiliza las características inherentemente superiores del silicio para la amplificación de la alta velocidad, creando de esta forma una tecnología óptica de primera clase”, ha comentado Bowers. “Estamos muy contentos de haber podido desarrollar las características especiales de estos dispositivos y vamos a seguir colaborando con Intel para obtener el máximo potencial de los dispositivos basados en fotónica de silicio”.

 

Acerca de Intel
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*Otros nombres y marcas pueden ser propiedad de otras compañías.

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