le 22 septembre 2009

Forum Intel des développeurs, San Francisco – Le Forum Intel des Développeurs se tient cette semaine à San Francisco, du 22 au 24 septembre. C’est dans ce cadre que Paul Otellini, Président et Chief Executive Officer (CEO) de la société, a présenté aujourd’hui les premières puces fonctionnelles gravées en 22 nm. Intel continue de caler ses progrès sur la loi de Moore pour en faire bénéficier les utilisateurs. Précurseurs de la troisième génération de puces composées de transistors à porte « high k », ces prototypes ont été présentés deux ans après les premiers circuits fonctionnels gravés en 32 nm et viennent confirmer la loi de Moore bien au-delà des limites que lui avaient fixées certains experts.

• Les puces de mémoire SRAM sont des sujets d’essai privilégiés pour mettre en évidence les performances à espérer et le rendement de production possible ainsi que pour effectuer des tests de fiabilité avant la mise en production effective de processeurs et autres puces fabriquées à l’aide d’un nouveau procédé de gravure.
• Intel est actuellement en phase de développement à part entière pour la gravure en 22 nm et devrait, pour cette prochaine génération de puces, respecter son calendrier biennal alterné d’une nouvelle microarchitecture suivie d’une augmentation de la finesse de gravure.
• Les prototypes en 22 nm comportent tant de la mémoire SRAM que les circuits logiques qui serviront aux microprocesseurs 22 nm.
• Des cellules de mémoire SRAM de 0,108 et 0,092 micromètre carré respectivement composent un ensemble qui totalise 364 millions de bits, les premières étant optimisées pour un fonctionnement basse tension et les secondes pour la densité. Ces dernières sont les plus petites cellules de mémoire SRAM qui existent officiellement. Ces puces de test regroupent 2,9 milliards de transistors, avec environ un doublement de la densité par rapport à leurs prédécesseurs 32 nm, et tiennent sur la surface d’un ongle.
• La gravure en 22 nm s’effectue avec des outils qui exploitent une lumière d’une longueur d’ondes de 193 nm, ce qui prouve toute l’ingéniosité des ingénieurs Intel en lithographie.
• Ce procédé de gravure continue de valider les conséquences positives de la loi de Moore : des transistors toujours plus petits, un rendement électrique en constant renforcement et une baisse continue du coût au transistor.

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