Intel Foundry detalha marcos de processo e inovações futuras durante o Simpósio VLSI

Santa Clara, Califórnia, 16 de junho de 2026 – Durante o Simpósio VLSI 2026, a Intel Foundry apresentou uma atualização sobre seu roteiro de processos e seus investimentos em inovação de longo prazo.  A empresa anunciou que o Intel 18A-P, o primeiro aprimoramento de desempenho da família Intel 18A, entrou em produção em larga escala, cumprindo o cronograma divulgado inicialmente a clientes e parceiros no ano passado.

“Nossas atualizações e apresentações na VLSI sinalizam aos clientes e parceiros da Intel Foundry que estamos totalmente comprometidos com a inovação de processos de ponta a longo prazo”, disse Naga Chandrasekaran, vice-presidente executivo e gerente geral da Intel Foundry. “Esta é uma jornada contínua e, embora ainda tenhamos muito trabalho pela frente, valorizamos a oportunidade de compartilhar os avanços que estamos alcançando com o Intel 18A-P e com nossas pesquisas de longo alcance.”

Atualizações sobre o Intel 18A-P apresentadas no VLSI

A Intel Foundry está ampliando os benefícios de desempenho, eficiência energética e flexibilidade de projeto do Intel 18A-P por meio de uma combinação de otimizações conjuntas de transistores, interconexões e tecnologias de design. Durante o evento, os engenheiros da empresa detalharam os seguintes avanços:

• O Intel 18A-P oferece desempenho 9% superior em mesma potência (iso-power) ou redução de 18% no consumo de energia em mesmo desempenho (iso-performance) em comparação ao Intel 18A, além de melhorias térmicas e maior flexibilidade de projeto.
• Apresentação do Power Boost, nova opção de transistor com contato duplo e baixa resistência do Intel 18A-P, que permite maior corrente de acionamento e frequência mais alta com capacitância equivalente.
• Melhoria de 20% a 40% na resistência térmica por meio de inovações em materiais e design.
• Redução de 10% a 30% na resistência das vias (conexões verticais entre as camadas do chip), graças a otimizações geométricas e de materiais.
• Aumento da mobilidade elétrica por meio de engenharia de tensão mecânica (strain engineering) aplicada aos transistores PMOS, permitindo fluxo de corrente mais eficiente.
• Novas opções de transistores voltadas para baixo consumo e alto desempenho.
• Introdução de um quinto nível de tensão limiar (Vt) entre ULVT e LVT, oferecendo mais alternativas para equilibrar velocidade e consumo de energia.
• Compatibilidade total das regras de projeto do Intel 18A-P com o Intel 18A, permitindo o reaproveitamento direto de IPs e fluxos de desenvolvimento existentes.
• Assim como o Intel 18A, o Intel 18A-P oferece duas alturas de célula (180 nm e 160 nm) e pitch de polisilício contatado de 50 nm.

Outras novidades apresentadas no VLSI

A Intel Foundry introduziu comercialmente, no ano passado, os transistores Gate-All-Around (GAA) e a tecnologia de alimentação elétrica pela face traseira do wafer (Backside Power Delivery – BSPD) com o Intel 18A. Nesta semana, equipes de engenharia mostraram como essas tecnologias servem de base para ganhos futuros em desempenho, eficiência energética e escalabilidade:

• Em uma palestra convidada do VLSI, Eric Karl, vice-presidente e Intel Fellow da Intel Foundry, apresentou métricas que quantificam os benefícios das tecnologias BSPD e GAA. Segundo Karl, a combinação dessas tecnologias permite redução de 11% na área roteada e diminuição de até 10 vezes nas oscilações dinâmicas de tensão (voltage droop), possibilitando ganhos de frequência de até 6% ou redução superior a 15% no consumo dinâmico de energia em comparação com tecnologias equivalentes de interconexão frontal.
• Manju Shamanna, do grupo de Engenharia de Silício e Plataforma da Intel Foundry, compartilhou resultados de silício de núcleos de CPU construídos com um processo de encapsulamento gate-all-around e fornecimento de energia pela parte traseira. O estudo demonstrou melhor escalabilidade de frequência em tensões mais baixas, incluindo ganho aproximado de 30% em frequência operando próximo de 0,5 V, além de redução de quedas de tensão (IR drop) e maior eficiência operacional.

Inovação futura em VLSI

A Intel Foundry também apresentou avanços de pesquisa voltados para as próximas gerações de escalabilidade do silício:

• CFET (FET Complementar): A Intel demonstrou inversores CFET monolíticos com dispositivos NMOS e PMOS empilhados verticalmente com um espaçamento de porta de 45 nm, abrindo caminho para continuar a miniaturização da lógica além dos transistores com porta envolvente (gate all around transistores) por meio de arquitetura de dispositivo vertical.
• Integração de GaN + Si para gerenciamento de energia: A Intel demonstrou a integração monolítica de 300 mm de dispositivos de potência de nitreto de gálio com lógica de silício, incluindo um bloco de controle digital com cerca de 1.000 portas, permitindo um controle digital eficiente e em larga escala, juntamente com dispositivos de potência de alto desempenho em um único processo, reduzindo a complexidade do sistema.
• Interconexão subtrativa de rutênio: A Intel demonstrou a interconexão subtrativa de rutênio com integração em espaço de ar, alcançando uma redução de capacitância de até ~35% e ganhos de frequência mensuráveis ​​em comparação com o cobre, apontando para um caminho viável para aprimorar a escalabilidade da resistência e capacitância à medida que as interconexões continuam a diminuir de tamanho.

Saiba mais sobre as atualizações e apresentações de VLSI da Intel Foundry aqui.

Declarações prospectivas

Este comunicado contém declarações prospectivas que envolvem diversos riscos e incertezas. Palavras como "acelerar", "alcançar", "almejar", "ambições", "antecipar", "acreditar", "comprometido", "continuar", "poderia", "projetado", "estimar", "esperar", "prever", "futuro", "metas", "crescer", "orientação", "pretender", "provável", "pode", "talvez", "marcos", "próxima geração", "objetivo", "no caminho certo", "oportunidade", "perspectiva", "pendente", "plano", "posição", "possível", "potencial", "prever", "progresso", "rampa", "roteiro", "buscar", "deveria", "esforçar-se", "metas", "ser", "próximo", "irá", "iria", e variações dessas palavras e expressões semelhantes têm o objetivo de identificar tais declarações prospectivas, que podem incluir declarações referentes a:

Essas declarações incluem, entre outros temas:

• Nosso processo de fabricação Intel 18A-P e a produção em série desse processo, incluindo os benefícios em termos de desempenho, consumo de energia e design, competitividade e avanços tecnológicos;
• Nossos avanços em pesquisa incluem inversores CFET, integração GaN + Si e interconexões sRu.

Tais declarações envolvem riscos e incertezas que podem fazer com que os resultados reais sejam substancialmente diferentes daqueles expressos ou implícitos, incluindo fatores relacionados a:

• Elevado nível de concorrência e rápidas mudanças tecnológicas na indústria de semicondutores.
• Investimentos significativos, de longo prazo e inerentemente arriscados em pesquisa, desenvolvimento e capacidade fabril.
• Complexidades e incertezas associadas ao desenvolvimento de novos produtos semicondutores e tecnologias de fabricação.
• Mudanças na demanda e nas margens de produtos.
• Condições macroeconômicas e tensões geopolíticas globais.
• Tensões comerciais internacionais, incluindo tarifas e controles de exportação.
• Evolução do mercado de produtos com recursos de inteligência artificial.
• Complexidade da cadeia global de suprimentos.
• Defeitos de produtos, erratas e desafios relacionados à implementação de tecnologias de próxima geração.
• Outros riscos descritos no Formulário 10-K de 2025 da companhia e em demais documentos apresentados à SEC.

Diante desses riscos e incertezas, os leitores são orientados a não depositar confiança excessiva em declarações prospectivas. Recomenda-se a análise cuidadosa deste comunicado e dos demais documentos divulgados pela companhia que detalham fatores de risco capazes de impactar seus negócios.

Salvo indicação em contrário, as declarações prospectivas contidas neste comunicado não consideram os efeitos potenciais de desinvestimentos, fusões, aquisições ou outras combinações de negócios ainda não concluídas na data de sua divulgação. Além disso, essas declarações refletem as expectativas da administração na data deste comunicado, incluindo informações e projeções de terceiros consideradas confiáveis pela empresa. A Intel não assume qualquer obrigação de atualizar essas declarações em razão de novas informações, desenvolvimentos futuros ou quaisquer outros fatores, exceto quando exigido por lei.