МОСКВА, 1 февраля 2010 г. – Корпорация Intel сообщает о том, что ее  генеральным директором по исследованиям и разработкам в России стал Камиль  Исаев, кандидат физико-математических наук, выпускник Московского  государственного университета, ранее директор Intel по маркетингу и руководитель  технологического подразделения корпорации в России и других странах СНГ.

 

Камиль Исаев

Появление самой должности «генеральный  директор по исследованиям и разработкам» стало еще одним свидетельством интереса  Intel к традициям развития науки, инженерного и естественно-научного образования  в нашей стране. В новой роли Камиль Исаев будет отвечать за успех распределённой  команды, включающей около 700 инженеров и программистов, базирующихся в офисах  Intel в Москве, Санкт-Петербурге, Нижнем Новгороде, Сарове и Новосибирске.  Большая их часть принадлежит к SSG (Software and Services Group) – подразделению  Intel, отвечающему за разработку программного обеспечения (компиляторов,  библиотек, средств распараллеливания, анализаторов производительности и др.).

 

Символично, что должность, которую занял Камиль Исаев, была создана  Intel в то время, когда российское руководство стало уделять повышенное внимание  диверсификации экономики России, приданию ей инновационного характера.

Камиль Исаев видит большой потенциал для дальнейшего развития высоких  технологий в России. По его словам, «знания и опыт в развитии  высокотехнологичных секторов экономики, накопленные в Intel, сегодня актуальны  как никогда. Успех в области исследований и разработок невозможен без прочных  связей с «экосистемой» – российской ИТ-индустрией, университетами, Академией  наук, релевантными госкорпорациями и профильными министерствами. Укреплением  этих связей мы и будем заниматься».

 

В Intel Камиль Исаев работает c 1997 г. С 2005 г. он занимал пост директора по  маркетингу в России и других странах СНГ. За годы его руководства маркетинг  Intel в стране стал более инновационным; фокус коммуникаций сместился в онлайн,  особенно много внимания уделялось работе с целевой аудиторией (с  непрофессионалами, «рядовыми потребителями») в социальных сетях (IT Galaxy,  Vkontakte, LiveJournal, «Одноклассники» и т.д.).

 

В 1997–2003 гг. Камиль  Исаев был менеджером Intel по работе с правительственными и образовательными  учреждениями в России и Восточной Европе. Начав реализацию этих программ «с  нуля», он добился существенного их расширения и диверсификации.

 

В 2003  г. перешел на должность менеджера по развитию бизнеса в области исследований и  разработок, а спустя год был назначен директором технологической группы  (Technology and Manufacturing Group, TMG) Intel в России. Под руководством  Камиля Исаева было создано российское отделение TMG.

 

Камиль Исаев –  выпускник физического факультета МГУ. В 1990 г. по окончании аспирантуры стал  кандидатом физико-математических наук. До прихода в Intel работал в Российской  Академии наук, в компаниях Coca-Cola* и Lancer*.

 

Корпорация Intel, ведущий мировой производитель инновационных полупроводниковых компонентов, разрабатывает технологии, продукцию и инициативы, направленные на постоянное повышение качества жизни людей и совершенствование методов их работы. Дополнительную информацию можно найти на веб-сайте www.intel.com/pressroom, на русскоязычном Web-сервере компании Intel www.intel.ru, а также на сайте blogs.intel.com.

Intel и  логотип Intel являются товарными знаками корпорации Intel в США и других  странах.


*Другие торговые марки и товарные знаки являются собственностью  их законных владельцев.
САНТА-КЛАРА (Калифорния), БОЙСЕ (Айдахо), 1 февраля 2010 г. – Intel и Micron Technology* объявили о запуске 25-нанометровой (25-нм) технологии производства NAND-памяти, которая позволяет снизить производственные издержки и увеличить емкость хранилищ данных популярных потребительских устройств – смартфонов, медиаплееров и твердотельных накопителей.

Флэш-память NAND используется для хранения пользовательских файлов в потребительской электронике. Данные сохраняются и при выключенном электропитании. Уменьшение топологии чипов NAND позволяет расширять сферу применения этого типа памяти. 25-нм технологический процесс является не только наименьшим при изготовлении микросхем NAND, но и наиболее прогрессивным сегодня в полупроводниковой индустрии в целом. Это достижение позволяет увеличить количество музыкальных, видеофайлов и других данных, хранящихся в карманных устройствах и персональных компьютерах.

IM Flash Technologies* (IMFT), совместное предприятие Intel и Micron* по выпуску флэш-памяти, приступило к производству модулей NAND емкостью 8 ГБайт. Площадь решения составляет 167 мм2; оно помещается в отверстие в центре компакт-диска. Обладая такими размерами, модуль способен вместить данные 10 компакт-дисков емкостью 700 мегабайт каждый.

Сконцентрировав инвестиции в разработку и исследования флэш-памяти, Intel и Micron* получили возможность удваивать плотность NAND-чипов приблизительно каждые 18 месяцев. Этот процесс ведет к постоянному уменьшению размеров продукции, повышению ее емкости и снижению производственных затрат. Сегодня, с переходом на 25-нм процесс, компании улучшают производственный цикл и укрепляются на рынке в качестве инноваторов, предлагая наименьший размер ячеек памяти в индустрии.

В настоящее время ведутся поставки тестовых образцов 8-гигабайтных модулей 25-нм NAND-памяти. Серийное производство планируется во II квартале 2010 г. Устройство использует многоуровневую структуру ячеек (MLC) с хранением в каждой двух битов данных. Решение помещается в стандартный тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами (TSOP). В новом модуле число чипов, по сравнению с решениями на базе техпроцессов предыдущих поколений, сокращено на 50%. Это позволяет конструировать еще более вместительные решения с меньшим коэффициентом производственных затрат. Для увеличения емкости производитель может использовать несколько модулей. Например, один SSD емкостью 256 ГБайт можно содержать 32 новых модуля вместо 64; для 32 Гбайтного хранилища в смартфоне требуется 4 модуля, а для 16-гигабайтной карты памяти – всего два.

Полезные ссылки

 

Корпорация Intel, ведущий мировой производитель инновационных  полупроводниковых компонентов, разрабатывает технологии, продукцию и инициативы,  направленные на постоянное повышение качества жизни людей и совершенствование  методов их работы. Дополнительную информацию можно найти на веб-сайте www.intel.com/pressroom, на русскоязычном Web-сервере компании Intel www.intel.ru, а также на сайте blogs.intel.com.

О компании Micron
Micron Technology, Inc.  – крупнейший поставщик современных полупроводниковых решений. Работая на  глобальном рынке, Micron выпускает и продает NAND- и DRAM-память, другие  полупроводниковые компоненты и модули памяти для использования в современных  компьютерах, потребительской электронике, сетевом оборудовании и мобильных  продуктах. Обыкновенные акции Micron котируются на бирже NASDAQ под символом MU.  Чтобы узнать больше о Micron Technology, посетите www.micron.com*.


Данный  пресс-релиз содержит заявления прогностического характера, связанные с  производством 25-нм 8-ГБ NAND-модулей. Фактические события могут значительно  отличаться от тех событий, которые указаны в заявлениях прогностического  характера. Пожалуйста, обращайтесь к документам Micron, которые компания время  от времени направляет в Комиссию по ценным бумагам и биржам США, в частности, к  недавно поданным документам Micron по формам 10-K и 10-Q. Эти документы содержат  и определяют важные факторы, которые могут оказать влияние на фактические  результаты деятельности Micron, которые могут существенно отличаться от того,  что сказано в заявлениях прогностического характера (смотрите Certain Factors).  Мы убеждены в том, что наши ожидания, указанные в заявлениях прогностического  характера, являются вполне обоснованными, однако мы не можем гарантировать эти  результаты, высокий уровень деятельности, производственную эффективность и  достижения.

Intel и логотип Intel являются товарными знаками корпорации Intel в США и других странах.

*Другие торговые марки и товарные знаки являются собственностью их законных владельцев.
«Выход в абсолютные лидеры полупроводниковой индустрии по топологии производства является для Intel и Micron* феноменальным достижением, – убежден вице-президент Micron* по выпуску флэш-памяти Брайан Ширли (Brian Shirley). – Мы уже работаем над тем, как уменьшить техпроцесс в дальнейшем. Новая производственная технология открывает значительные преимущества перед нашими клиентами – ведь теперь они получают решения с еще большей емкостью».

«Путем инвестирования в IMFT мы добиваемся лидерства в технологической гонке и производим надежную NAND-память с максимально эффективным использованием производственных ресурсов,
– комментирует
Том Рэмпоун
(Tom Rampone), вице-президент и генеральный директор Intel NAND Solutions Group. –
Это ускоряет распространение твердотельных накопителей на рынке вычислительных систем».

Filter News Archive

By author: By date:
By tag: