インテルとSAIMEMORY AI時代に向けた次世代メモリ実現のためのNEDOの助成事業に採択

インテル株式会社と、ソフトバンク株式会社の子会社であるSAIMEMORY株式会社は本日、NEDO（国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構）が実施した「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業／先端半導体製造技術の開発（助成）」における研究開発項目「高メモリ密度・広帯域・低消費電力な革新的メモリの製造技術開発」において、両社の共同提案「高密度・広帯域・低消費電力ZAM（Z-Angle Memory）の開発」が採択されたことを公表します。本助成事業は、AIや高性能コンピューティング（HPC）におけるメモリの重大な制約に対処するために設計された次世代積層DRAMアーキテクチャであるZ-Angle Memory（ZAM）の3年半の開発を加速させるものです。

ZAMプログラムは、AIを支えるメモリの電力効率を向上させつつ、業界をリードする性能の提供に重点を置いています。インテルの技術と知的財産と、SAIMEMORYの商用化に向けたリーダーシップが組み合わさることで、本プログラムに必要な研究の深さと専門性が備わると考えています。また、大規模な開発と商用化を支えるため、国内外の技術、製造、サプライチェーンのパートナーネットワークも活用していきます。

インテル株式会社 代表取締役社長 大野 誠は「インテルは、米国エネルギー省（DOE）傘下の国立研究所での取り組みから、インテル独自の『次世代DRAMボンディング（NGDB）』イニシアチブに至るまで、長年にわたりZAMの背後にある科学的根拠を実証してきました。今回の採択は、その取り組みを世界展開への軌道に乗せるものであり、今後ますます重要となる日米間の技術パートナーシップを強化すると信じています」と述べています。

ZAMは、米国エネルギー省および国家核安全保障局が管轄するサンディア国立研究所、ローレンス・リバモア国立研究所、ロスアラモス国立研究所が管理する「先進メモリ技術（AMT）研究開発プログラム」で進められた基礎研究を基盤としています。インテルの「次世代DRAMボンディング（NGDB）」イニシアチブは、低遅延と低消費電力でDRAMの密度と帯域幅を高めることを改めて実証しています。インテル自身の研究と知的財産を通じて開発されたこれらの進歩が、今やZAMの技術的基盤を形成しています。