ECTC 2026 | 速览EMIB-T 技术的最新进展

AI需要算力，而提升算力的路径，不只是让晶体管变得更小，还可以通过先进封装在单个设备中集成越来越多的芯粒（chiplet），包括CPU、GPU等计算单元、负责读写数据的存储单元、I/O接口等等。

芯粒越来越多，封装的尺寸自然也越来越大，一直到多个光罩尺寸（光刻机单次曝光的最大面积）。但是，尺寸变大之后，供电、互连、散热、机械稳定性等方面都会面临艰巨的技术挑战。

为了提升大型芯片系统的性能和可靠性，英特尔一直在推进相关技术的前沿探索。近日，在ECTC 2026（IEEE电子元件与技术大会）​ 上，英特尔发表了多项研究进展，让我们一起来看看。 

EMIB-T：从“桥梁”到“立交桥” 

如果说EMIB是一座连接芯粒的桥梁，那么EMIB-T就是一座立交桥。

使用EMIB封装时，要将电流从电源输送至芯片，仍然需要进行复杂的布线。EMIB-T则通过引入TSV（硅通孔）实现了垂直供电，电流可以直接穿过基板（EMIB-T封装位于基板内部），抵达芯片，从而大幅缩短供电路径，提高供电密度。

在ECTC 2026上，英特尔展示了EMIB-T技术的最新进展：

• 第一层互连（离芯片最近的互连层）凸点间距缩小至25微米​；
• 封装尺寸扩大至120 × 120毫米​；
• 单个封装集成超过9个光罩面积​的计算与存储芯片；
• 协同优化信号与供电完整性，支持12 Gb/s​ HBM4e和64 Gb/s UCIe​高速传输。

EMIB-T让封装尺寸不再被供电瓶颈限制。

光电共封装：让数据“光速奔跑”

 数据中心的规模越来越大，超大尺寸封装需要支持长距离、高带宽的数据传输。硅光技术通过I/O将电信号转化为光信号，让光在由硅材料制成的光波导中传播，到达另一端的I/O后再转回电信号，提高了互连带宽。

光电共封装（CPO）​将光学I/O与电气I/O集成在同一基板上，进一步降低了功耗。但是，光纤与光子芯片的连接一直是个难题，传统方法将光纤阵列单元（FAU）直接插入芯片上的V型槽，操作难度高且易损坏。

英特尔在 ECTC 2026 上展示了可拆卸边缘耦合光接口，它由两部分组成：

• 扩束边缘连接器：放大光斑，降低对准难度；
• 玻璃扇出耦合器：提升连接稳定性与良率。

这项技术让光电共封装的量产可行性大大提升，为未来AI集群的持续扩展打下了基础。

玻璃基板：终结“变形” 

有机基板会热胀冷缩，基板越大，变形越明显，使得超大尺寸封装极易出现翘曲，严重时会造成设备损坏。玻璃具有独特的性能，如超低平面度（flatness）、更好的热稳定性和机械稳定性，玻璃基板因此成为超大尺寸封装中替代有机基板的理想选择。

玻璃基板中的TGV（玻璃通孔）​类似于有机基板中的TSV，可实现垂直互连。英特尔现已能精准、可重复地制造多种类型的TGV：

• 低锥度 TGV；
• 混合尺寸 TGV；
• 用于嵌入器件的空腔结构。

测试表明，全铜填充的TGV可在严苛冷热循环中不失效，证明其长期可靠性。玻璃基板不仅能承载更多芯粒，还可实现电气与光学的同平台集成，是实现在单个封装内集成万亿晶体管的关键技术之一。

在ECTC 2026上，英特尔代工一共发表了20篇重磅论文，除上述三个领域外，还包括混合键合、超低温工艺等课题。英特尔将继续致力于推进技术创新，打造性能更强、可扩展且节能的计算平台。