英特爾晶圓代工宣布美國國防部RAMP-C計畫加入新客戶

2025年1月20日－英特爾晶圓代工（Intel Foundry）宣布國防工業基礎（Defense Industrial Base，以下簡稱DIB）客戶Trusted Semiconductor Solutions和Reliable MicroSystems，成為「快速保證微電子原型-商業計畫」（Rapid Assured Microelectronics Prototypes-Commercial，以下簡稱RAMP-C）第三階段成員。該計畫隸屬於美國國防部研究與工程副部長辦公室（Office of the Under Secretary of Defense for Research and Engineering，OUSD R&E）的Trusted & Assured Microelectronics（T&AM）計畫。RAMP-C計畫經S²MARTS OTA（Strategic & Spectrum Missions Advanced Resilient Trusted Systems Other Transaction Authority）授予，使DIB客戶能夠利用英特爾晶圓代工領先的Intel 18A製程和先進封裝技術，為美國國防部提供商業和DIB產品的原型開發與量產。

英特爾晶圓代工副總裁暨航太、國防與政府業務事業群總經理Kapil Wadhera表示：「我們非常歡迎Trusted Semiconductor Solutions和Reliable MicroSystems加入英特爾與美國國防部合作的RAMP-C計畫。這次合作將推動領先、安全的半導體解決方案，對於國家安全、經濟成長和技術領導地位至關重要。我們對英特爾晶圓代工在支持美國國防方面扮演關鍵角色感到自豪，期待與最新加入的DIB客戶密切合作，利用領先的Intel 18A技術實現他們的創新。」

美國國防部研究與工程副部長辦公室T&AM計畫經理Catherine Cotell博士表示：「RAMP-C計畫持續推動先進微電子技術的發展，以提供美國國防部和商業應用，並支援美國領先的半導體設計和製造，以加強國家安全。」

在RAMP-C計畫中，英特爾晶圓代工協助戰略客戶、智慧財產權（IP）、電子設計自動化（EDA）和設計服務供應商，縮短英特爾晶圓代工領先技術的設計時間。

英特爾晶圓代工及其生態系提供即可使用解決方案，為DIB客戶提供最新製程技術和先進封裝能力，協助設計、測試和製造先進晶片。

協助DIB客戶提前取得先進半導體技術是滿足國防工業對關鍵尺寸、重量和功率需求的重點。Intel 18A是英特爾自2011年將鰭式場效電晶體（FinFET）導入量產以來最重要的電晶體創新，整合了英特爾全新PowerVia背部供電技術和RibbonFET環繞式閘極（GAA）技術，顯著改善每瓦效能和密度。

此外，DIB客戶還能利用英特爾晶圓代工的先進封裝技術，如嵌入式多晶片互連橋接（Embedded Multi-die Interconnect Bridge，EMIB），為異質晶片提供高互連密度，以滿足當今複雜的運算需求。

RAMP-C計畫自2021年10月啟動至今成果卓越，英特爾晶圓代工在三個階段皆發揮了關鍵作用。

• 奠定基礎：領導技術開發、創建IP和生態系，並為客戶測試晶片流片做好準備。
• 擴大與增加：透過加入波音公司和諾斯洛普格魯曼等DIB首批主要客戶，以擴大客戶群。英特爾晶圓代工持續提升IP和生態系解決方案，使新客戶能夠以Intel 18A製程技術為基礎進行設計、開發和流片。
• 先進原型設計和製造：2024年4月獲得該計劃獎項後，英特爾晶圓代工推動了早期DIB產品原型的流片和測試。此階段凸顯了Intel 18A技術已做好量產的準備，也為廣泛測試晶片和多個商業與DIB產品原型流片揭開序幕。