英特爾代工廠開闢晶片製造新領域

Technicians in protective clothing and pink helmets work on a large, complex machinery in a high-tech industrial setting, facing a wall of intricate pipes and components, with one operating a computer screen.

Installation is complete and calibration started on Intel's High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet lithography tool in a clean room at Intel Corporation's Fab D1X in Hillsboro, Oregon, in April 2024. The 165-ton High NA EUV tool was built by ASML and is the first commercial lithography system of its kind in the world. The machine will allow Intel Foundry to continue its pursuit of Moore's Law by creating for its customers powerful chips with ever-smaller transistors. (Credit: Intel Corporation)

英特爾領先業界布署高數值孔徑極紫外光微影設備,持續於Intel 18A後 維持製程領導地位

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2024年4月18日-英特爾晶圓代工實現先進半導體製造的重大里程碑,位於美國俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾研發基地中,研發人員已完成業界首台商用高數值孔徑極紫外光微影設備(High NA EUV)組裝。此台由微影技術領導者艾司摩爾(ASML)供應的TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV微影設備,將開始進行多項校準步驟,預計於2027年啟用、率先用於Intel 14A製程,協助英特爾推展未來製程藍圖。此設備將投影印刷成像到晶圓的光學設計進行改造,明顯提升下世代處理器的圖像解析度和尺寸縮放。

「High NA EUV微影設備的加入,讓英特爾擁有業界最全面的微影技術工具,有助於在Intel 18A後至2030年前持續推展製程。」

–英特爾院士暨英特爾晶圓代工邏輯技術開發部微影技術、硬體與解決方案總監Mark Phillips。

High NA EUV微影設備在先進晶片開發和下世代處理器生產中扮演關鍵角色。英特爾晶圓代工領先業界布署的High NA EUV微影設備,將為晶片製造帶來前所未有的精準度和可擴充性,協助英特爾開發創新功能完善的晶片,加速推動AI和其他新興技術的發展。

ASML近日 宣佈 ,位於荷蘭費爾德霍芬總部的高數值孔徑實驗室首次列印出10奈米的高密度線路,創下EUV微影設備解析度的世界紀錄,成為EUV微影設備迄今為止列印出最精細的線路。這項突破也讓ASML的合作夥伴蔡司(ZEISS)在High NA EUV微影設備上的創新光學設計獲得驗證。

在研發人員初步校準該設備機台的光學元件、感測器和平台後,High NA EUV已列印出突破性的圖像,為完整運作奠定基石。ASML透過全領域光學微影系統列印出的10奈米高密度線路,為布署商用High NA EUV機台邁出關鍵下一步。

當High NA UEV微影設備與英特爾晶圓代工服務的其他領先製程技術相結合時,列印尺寸預計將比現有EUV機台縮小1.7倍。由於2D尺寸縮小,密度將提高2.9倍。英特爾將持續引領半導體產業發展更小、更密集的圖案化(pattterning)技術,進一步延伸摩爾定律。

相較於0.33數值孔徑的EUV微影設備,高數值孔徑EUV微影設備(或0.55數值孔徑的EUV微影設備)可為類似的晶片尺寸提供更高的成像對比度,可減少每次曝光所需的進光量,並縮短每層列印時間,從而提高晶圓廠的產能。

英特爾計劃於2025年Intel 18A的產品驗證以及未來Intel 14A的量產階段,採用0.33和0.55數值孔徑的EUV微影設備,並結合其他先進的微影製程技術,共同推進先進晶片的開發和製造,藉此改善英特爾的先進製程技術成本與效能。

英特爾與ASML合作數十年,共同推動微影技術的演進,從193奈米浸潤式微影到極紫外光微影製程,再發展至現在的High NA EUV,TWINSCAN EXE:5000即為此技術的具體成果,也是當前最先進的製造設備之一。藉由採用High NA EUV微影技術,英特爾將引領業界持續延伸摩爾定律,並蓄勢待發迎接埃米世代的到來。

TWINSCAN EXE:5000系統的總重量超過150噸,將先分裝於250多個貨箱中,並集中裝入43個貨櫃,貨櫃由多架貨機運送至西雅圖,再利用20輛卡車運輸到俄勒岡州。每個新系統的總重量超過150公噸。(有關更多資訊,請參閱訊息圖/情況說明書。)

英特爾在 2021年宣布 採用High NA EUV微影技術的計畫,並在2022年和ASML 宣布 將繼續合作推動這一先進技術的發展。英特爾計劃購買次世代TWINSCAN EXE:5200系統,該系統每小時產能超過200片晶圓,英特爾也成為業界首家布署該系統的使用者。

High NA EUV為新世代極紫外光微影技術,使用人工的13.5奈米光波長。此一光波長是利用強大的雷射光束,照射加熱至將近攝氏22萬度的錫滴上而產生,此溫度高出太陽表面平均溫度40倍。光束從含電路圖案模板的光罩中反射,再穿過高精度鏡組打造的先進光學系統。

數值孔徑(Numerical Aperture, NA)為衡量光收集和聚焦能力的重要指標。High NA EUV微影設備藉由光學元件設計的改善,大幅提升圖案解析度和縮小電晶體尺寸。然而要進一步製造尺寸更小的電晶體,仍需要全新的電晶體結構和相關製程步驟,因此英特爾在整合首台High NA EUV微影設備的同時,也積極開發其他相關技術。

俄勒岡州是英特爾製程技術和研發核心。為迎接最新一代微影機台,英特爾於2022年啟用Mod 3廠房,並投資超過30億美元擴建位於俄勒岡州的D1X工廠,新增27萬平方英尺的無塵室空間。

讓研究成果成為可實際生產的產品,是英特爾50多年來維持優勢的方式。投資研發和高NA EUV等工具將有助於擴大國內製造晶片的能力,並振興美國的研發,以實現國家經濟和安全目標。創新研發與High NA EUV等工具的投資,有助於英特爾提升晶片製造能力,並振興研發工作。擴大俄勒岡州的研發與布署,將協助當地創造就業機會並吸引頂尖人才。英特爾已擁有完整的準備與策略,將持續加速下一代半導體技術和製造布局。

更多背景資訊:Intel 的高數值孔徑 EUV(新聞資料袋)